人工晶体北京市工程实验室设备采购项目(第一包)
时间:2016-05-11 作者: 来源:北京市招投标公共服务平台
项目单位:北京中材人工晶体研究院有限公司
招标内容:采购数量:2台AIN晶体生长炉
简要技术要求:
a.有效区:φ120×132(mm)
b.温度: 最高温度:2400℃ 工作温度:2200℃~2300℃
c.真空度: 冷态极限真空度:优于2×10-4Pa 工作真空度:优于2×10-3Pa
d.压升率<0.4Pa/h
e.控温精度:±0.1%FS,至少要3个温度控制点。(同时功率分辨率:±3W(控温精度))
f.坩埚上升速率:匀速可调,快升快降速度不低于5cm/min,晶体生长过程慢速控制速度0~300μm/h。 坩埚旋转速率:(转速可调,0~30转/分钟。)
g.工作气氛: 氮气纯度:≥99.999% 工作压力:随晶体生长工艺的过程有多个恒定的压力控制点且动态可调(生长时100~1000 Torr要保持大的冗余度),控制精度±0.1%;
h.智能控制系统 炉腔压力实时显示、可调; 超压报警及自动泄压控制(最大压力80%); 加热器功率和温度实时显示,定时采样, 显示功率曲线和温度曲线; 坩埚上升、旋转速率实时显示、可调 等各种生长工艺参数集成控制和显示
i.自循环水冷,冷却循环水温实时显示,水温,水压报警;
j.要求搭建温场(用户可提供模拟温场),为尽可能减少C、O污染,保温材料要与用户商定。
投标申请人资格要求:
(1)必须是在中华人民共和国境内注册,具有独立法人资格的单位。
(2)注册资本金需在50万(含)以上。
(3)营业执照中所载经营范围包含设备加工、生产或销售相关内容。
(4)具有PVT法AIN或SiC晶体生长炉供货业绩,在设备、人员、资金、安全质量保证及环境保护管理体系等方面,具有圆满完成本项目的能力。
(5)近三年内,在经营活动中没有重大违法记录。
(6)不得与招标人、招标代理机构有任何隶属关系或其他利害关系。
(7)本项目不接受代理商及联合体投标。
投标申请人需提交资料:
(1)投标人的企业法人营业执照副本、税务登记证、组织机构代码、类似业绩合同原件及复印件。注:如提供三证合一的营业执照则不需要提供税务登记证、组织机构代码。
(2)法定代表人授权委托书、身份证原件及复印件并加盖公章。
投标报名时间:2016年5月11日 9:00 至 2016年5月16日 16:00
招标文件购买时间:2016年5月17日 9:00 至 2016年5月23日 16:00
招标文件售价:¥500.00 元整
招标文件购买地点:劲松九区广和南里八条1号1幢
开标时间:2016年6月6日 9:00
开标地点:朝阳区劲松九区广和南里八条1号1幢
备注:无
投标文件提交截止时间:2016年6月6日 8:30 至 2016年6月6日 9:00
招标人联系地址:朝阳区东坝红松园1号院
邮编:100018
联系人:陈老师
联系电话:18911629029
代理机构联系地址:朝阳区劲松九区广和南里八条1号1幢邮编:100021
联系人:闫钟洋
联系电话:87952068
本项目招标公告以北京市招投标公共服务平台为准。